特征
•正向電流:1A
•反向電壓:20 V
•超高速切換
•非常低的正向電壓
•非常小的塑料貼片封裝。
應用
•超高速切換
•電壓鉗位
•保護電路。
說明
平面大效率一般應用(百萬)
集成保護環的肖特基勢壘二極管
應力保護,封裝在SOD323(SC-76)中
小型貼片塑料包裝。
釘扎
管腳說明
1個陰極
2陽極
列1 2
MGU328
圖1簡化輪廓(SOD323;SC-76)和
符號。
標記代碼:E1。
標記條指示陰極。
訂購信息
極限值
根據大額定值系統(IEC 60134)。
類型
數量
包裹
名稱說明版本
PMEG2010EA−塑料表面安裝封裝;2根引線SOD323
符號參數條件 大單位
VR連續反向電壓−20 V
如果持續正向電流−1 A
IFSM非重復峰值正向電流tp=8.3 ms半正弦波;
JEDEC法
−5安
Tstg儲存溫度−65+150°C
Tj結溫−125°C
工作環境溫度−65+125°C
FEATURES • Forward current: 1 A • Reverse voltage: 20 V • Ultra high-speed switching • Very low forward voltage • Very small plastic SMD package. APPLICATIONS • Ultra high-speed switching • Voltage clamping • Protection circuits. DESCRIPTION Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD323 (SC-76) very small SMD plastic package. PINNING PIN DESCRIPTION 1 cathode 2 anode columns 1 2 MGU328 Fig.1 Simplified outline (SOD323; SC-76) and symbol. Marking code: E1. The marking bar indicates the cathode. ORDERING INFORMATION LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). TYPE NUMBER PACKAGE NAME DESCRIPTION VERSION PMEG2010EA − plastic surface mounted package; 2 leads SOD323 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VR continuous reverse voltage − 20 V IF continuous forward current − 1 A IFSM non-repetitive peak forward current tp = 8.3 ms half sinewave; JEDEC method − 5 A Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 125 °C Tamb operating ambient temperature −65 +125 °C