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張漢斌 
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肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode） 它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100gHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。 可作為續流二極管，在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。
1. TVS管使用時一般并聯在被保護電路上。為了限制流過TVS管的電流不超過管子允許通過的峰值電流IPP，應在線路串聯加限流元件，如電阻、自恢復保險絲、電感等。
2. 擊穿電壓VBR的選擇：TVS管的擊穿電壓應根據線路工作電壓US按公式：VBRmin≥1.2US 或 VRWM≥1.1US選擇。
3. 脈沖峰值電流IPP的選擇：當TVS管單獨使用時，要根據線路上可能出現的浪涌電流來選擇合適的型號。當TVS管在放電管后作為第二級保護時，一般用500W～600W的就可以了。
4. 用于信號傳輸電路保護時，一定要注意所傳輸信號的頻率或傳輸速率。當信號頻率或傳輸速率較高時,應選用低電容系列的管子：信號頻率（傳輸速率）≥10MHz（Mb/s），Cj≤60pF； 信號頻率（傳輸速率）≥100 MHz（Mb/s），Cj≤20pF。當低電容系列仍滿足不了要求時，就應把TVS管串聯到高速二極管組成的橋路中
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