肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100gHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。 可作為續流二極管,在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。
TVS管的型號由三部分組成:系列名+電壓值+單/雙向符號系列名代表不同的峰值脈沖功率和封裝形式
1. SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示貼片封裝:分別代表的峰值脈沖功率為400W、600W、1500W和3000W;
2. 其它系列名表示同軸引線封裝:P4KE為400W、P6KE為600W、1.5KE為1500W,SA為500W、3KP為3000W,其余類推(型號名KP或KPA前面的數字表示kW數)。