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肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）    它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100gHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。    可作為續流二極管，在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。

1. MAXIMUN CLAMPING VOLTAGE: 箝位電壓VC要小于電路允許的安全電壓。

2. REVERSE STAND-OFF VOLTAGE:截止電壓VRWM大于電路的工作電壓，一般可以選擇VRWM等于或者略大于電路的工作電壓。

3. PEAK PULSE POWER:額定的脈沖功率（TVS參數中給出） PM要大于瞬態浪涌功率。