廣東星河微電子有限公司

TVS二極管電壓－電流特性①VBR：TVS二極管擊穿電壓。也就是在流過規定電流(IR )時，加于TVS兩極的擊穿電壓；②VRMW：正常工作時候可承受的電壓。這個電壓在實際應用當中應大于或等于被保護電路的正常工作電壓；③IPP：峰值脈沖電流。處于反向狀態時， 允許通過的脈沖峰值電流；④VC：箝位電壓。處于峰值時候，兩端出現的電壓值稱為箝位電壓

肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）    它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100gHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。    可作為續流二極管，在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。