肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100gHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。 可作為續流二極管,在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。
TVS用于瞬間突波之抑制,與受保護器件并聯。在正常工作狀態下,TVS對受保護線路呈高阻抗狀態,當瞬間電壓超過其擊穿電壓時,TVS就提供一個低阻抗的路徑予瞬間電流。使得流向被保護元器件的瞬間電流轉而分流到TVS二極管,而受保護元器件兩端的電壓被限制在TVS兩端的箝制電壓(Clamping Voltage)。當這個過壓條件消失后,TVS二極管又將恢復到高阻抗狀態。