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肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）    它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100gHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。    可作為續流二極管，在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。

穩壓二極管的溫度系數α：α表示溫度每變化1℃穩壓值的變化量。穩定電壓小于4V的管子具有負溫度系數（屬于齊納擊穿），即溫度升高時穩定電壓值下降（溫度使價電子上升較高能量）；穩定電壓大于7V的管子具有正溫度系數（屬于雪崩式擊穿），即溫度升高時穩定電壓值上升（溫度使原子振幅加大，阻礙載流子運動）；而穩定電壓在4~7V之間的管子，溫度系數非常小，近似為零（齊納擊穿和雪崩擊穿均有）。