1. TVS管使用時一般并聯在被保護電路上。為了限制流過TVS管的電流不超過管子允許通過的峰值電流IPP,應在線路串聯加限流元件,如電阻、自恢復保險絲、電感等。
2. 擊穿電壓VBR的選擇:TVS管的擊穿電壓應根據線路工作電壓US按公式:VBRmin≥1.2US 或 VRWM≥1.1US選擇。
3. 脈沖峰值電流IPP的選擇:當TVS管單獨使用時,要根據線路上可能出現的浪涌電流來選擇合適的型號。當TVS管在放電管后作為第二級保護時,一般用500W~600W的就可以了。
4. 用于信號傳輸電路保護時,一定要注意所傳輸信號的頻率或傳輸速率。當信號頻率或傳輸速率較高時,應選用低電容系列的管子:信號頻率(傳輸速率)≥10MHz(Mb/s),Cj≤60pF; 信號頻率(傳輸速率)≥100 MHz(Mb/s),Cj≤20pF。當低電容系列仍滿足不了要求時,就應把TVS管串聯到高速二極管組成的橋路中
江崎二極管(Tunnel Diode) 它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的(即高濃度雜質的)。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件:①費米能級位于導帶和滿帶內;②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV),其中,下標"P"代表"峰";而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被應用于高速開關電路中。