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張漢斌 
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江崎二極管（Tunnel Diode） 它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。
在直流方面，TVS二極管單向即可，TVS與輸出負載并聯，負載可以是直流電源或者其他輸出系統，需要注意的是TVS管的反向工作電壓至少大于1.2倍電路輸入電壓，這樣電路才較為可靠。
TVS二極管在直流方面應用的更廣泛，特別是ESD防護，便攜式設備對于ESD很敏感，利用TVS二極管超快速特點，可有效吸收脈沖。
TVS二極管在直流應用的還有很多，例如晶體管保護、集成電路保護、各種負載輸出等
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