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江崎二極管（Tunnel Diode）    它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。

TVS管的型號由三部分組成：系列名+電壓值+單/雙向符號系列名代表不同的峰值脈沖功率和封裝形式

1.  SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示貼片封裝：分別代表的峰值脈沖功率為400W、600W、1500W和3000W；

2.  其它系列名表示同軸引線封裝：P4KE為400W、P6KE為600W、1.5KE為1500W，SA為500W、3KP為3000W，其余類推（型號名KP或KPA前面的數字表示kW數）。