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江崎二極管（Tunnel Diode）    它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。

1. TVS管和壓敏電阻不象開關元件那樣具有開關特性，而是類似穩壓二極管那樣具有穩壓特性。

2. 壓敏電阻能承受更大的浪涌電流，而且其體積越大所能承受的浪涌電流越大，可達幾十kA到上百kA，但壓敏電阻的非線性特性較差，大電流時限制電壓較高，低電壓時漏電流較大。