廣東星河微電子有限公司

特點：反映速度快(為pS級)，體積小，箝位電壓低，可靠性高。10/1000μs波脈沖功率從400W～30000W，脈沖峰值電流從幾安～幾百安。常用的TVS管的擊穿電壓有從5V到550V的系列值。且可靠性高，在TVS管規范之工作范圍內，性能可靠，不易劣化，使用壽命長。

江崎二極管（Tunnel Diode）    它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。