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張漢斌 
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3. 脈沖峰值電流IPP的選擇：當TVS管單獨使用時，要根據線路上可能出現的浪涌電流來選擇合適的型號。當TVS管在放電管后作為第二級保護時，一般用500W～600W的就可以了。
4. 用于信號傳輸電路保護時，一定要注意所傳輸信號的頻率或傳輸速率。當信號頻率或傳輸速率較高時,應選用低電容系列的管子：信號頻率（傳輸速率）≥10MHz（Mb/s），Cj≤60pF； 信號頻率（傳輸速率）≥100 MHz（Mb/s），Cj≤20pF。當低電容系列仍滿足不了要求時，就應把TVS管串聯到高速二極管組成的橋路中
江崎二極管（Tunnel Diode） 它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。
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