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江崎二極管（Tunnel Diode）    它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。

TVS用于瞬間突波之抑制，與受保護器件并聯。在正常工作狀態下，TVS對受保護線路呈高阻抗狀態，當瞬間電壓超過其擊穿電壓時，TVS就提供一個低阻抗的路徑予瞬間電流。使得流向被保護元器件的瞬間電流轉而分流到TVS二極管，而受保護元器件兩端的電壓被限制在TVS兩端的箝制電壓(Clamping Voltage)。當這個過壓條件消失后，TVS二極管又將恢復到高阻抗狀態。