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江崎二極管（Tunnel Diode）    它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。

TVS，也就是瞬態二極管，它是一種高效能保護元器件，兩極若受到反向瞬態高能量時候能夠以極快的速度吸收浪涌，對后級電路形成有效的保護，適合于電源產品、通訊設備、家用電器等。TVS瞬態二極管一般以二極管形式出現，類似于穩壓管，有單向也有雙向TVS。