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張漢斌 
電話：0755-82531233
手機：13544236333
制造商編號：NTR4101PT1G
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 2.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 85 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 1.2 V
Qg-柵極電荷: 7.5 nC
工作溫度: - 55 C
工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 0.73 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 0.94 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: NTR4101P
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
寬度: 1.3 mm
商標: ON Semiconductor
正向跨導 - 值: 7.5 S
下降時間: 21 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12.6 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 30.2 ns
典型接通延遲時間: 7.5 ns
單位重量: 8 mg
穩壓二極管的穩定電流應高于應用電路的負載電流50%左右。
穩壓二極管損壞后，應采用同型號穩壓二極管或電參數相同的穩壓二極管來更換。
可以用具有相同穩定電壓值的高耗散功率穩壓二極管來代換耗散功率低的穩壓二極管，但不能用耗散功率低的穩壓二極管來代換耗散功率高的穩壓二極管。
詢價
