廣東星河微電子有限公司

制造商編號：MMBT5551LT1G

制造商: ON Semiconductor

產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

RoHS:  詳細信息  

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

晶體管極性: NPN

配置: Single

集電極—發射極電壓 VCEO: 160 V

集電極—基極電壓 VCBO: 140 V

發射極 - 基極電壓 VEBO: 6 V

集電極—射極飽和電壓: 0.15 V

直流電集電極電流: 0.6 A

Pd-功率耗散: 225 mW

工作溫度: - 55 C

工作溫度: + 150 C

系列: MMBT5551L

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

直流電流增益 hFE 值: 250  

高度: 0.94 mm  

長度: 2.9 mm  

技術: Si  

寬度: 1.3 mm  

商標: ON Semiconductor  

集電極連續電流: 0.6 A  

直流集電極/Base Gain hfe Min: 80  

產品類型: BJTs - Bipolar Transistors  

工廠包裝數量: 3000  

子類別: Transistors  

單位重量: 8 mg

雙極型晶體管輸出特性可分為三個區

★截止區：發射結和集電結均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三極管當作一個開關，這個狀態相當于斷開狀態。

★飽和區：發射結和集電結均為正向偏置。在飽和區IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三極管當作一個開關，這時開關處于閉合狀態。

★放大區：發射結正偏，集電結反偏。