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張漢斌 
電話：0755-82531233
手機：13544236333
制造商編號：MMBT3904LT1G
制造商: ON Semiconductor
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極電壓 VCEO: 40 V
集電極—基極電壓 VCBO: 60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 6 V
集電極—射極飽和電壓: 0.3 V
直流電集電極電流: 0.2 A
Pd-功率耗散: 225 mW
增益帶寬產品fT: 300 MHz
工作溫度: - 55 C
工作溫度: + 150 C
系列: MMBT3904L
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 0.94 mm
長度: 2.9 mm
技術: Si
寬度: 1.3 mm
商標: ON Semiconductor
集電極連續電流: 0.2 A
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
單位重量: 30 mg
雙極型晶體管極限參數★集電極耗散功率 如圖所示。★集電極電流 :使b下降到正常值的1/2～2/3時的集電極電流稱之為集電極允許電流。★極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時，另外兩個電極間所允許加的反向電壓即為極間反向擊穿電壓，超過此值的管子會發生擊穿現象。溫度升高時，擊穿電壓要下降。
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