廣東星河微電子有限公司

制造商編號：NSS40200LT1G

制造商: NXP

產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

晶體管極性: PNP

配置: Single

集電極—發射極電壓 VCEO: 40 V

集電極—基極電壓 VCBO: 40 V

發射極 - 基極電壓 VEBO: 7 V

直流電集電極電流: 2 A

Pd-功率耗散: 540 mW

增益帶寬產品fT: 100 MHz

工作溫度: - 55 C

工作溫度: + 150 C

技術: Si  

商標: NXP Semiconductors  

直流集電極/Base Gain hfe Min: 250 at 10 mA, 2 V  

產品類型: BJTs - Bipolar Transistors  

子類別: Transistors

雙極型晶體管極限參數

★集電極耗散功率 如圖所示。

★集電極電流 :使b下降到正常值的1/2～2/3時的集電極電流稱之為集電極允許電流。

★極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時，另外兩個電極間所允許加的反向電壓即為極間反向擊穿電壓，超過此值的管子會發生擊穿現象。溫度升高時，擊穿電壓要下降。