廣東星河微電子有限公司

制造商編號：NTR4503NT1G

制造商: ON Semiconductor

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

通道數量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 2.5 A

Rds On-漏源導通電阻: 110 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 3.6 nC

工作溫度: - 55 C

工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 730 mW

系列: NTR4503N  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: MOSFET  

寬度: 1.3 mm  

商標: ON Semiconductor  

正向跨導 - 值: 5.3 S  

下降時間: 1.6 ns, 1.8 ns  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 5.8 ns, 6.7 ns  

一個雙極性晶體管由三個不同的摻雜半導體區域組成，它們分別是發射極區域、基極區域和集電極區域。這些區域在NPN型晶體管中分別是N型、P型和N型半導體，而在PNP型晶體管中則分別是P型、N型和P型半導體。每一個半導體區域都有一個引腳端接出，通常用字母E、B和C來表示發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。