廣東星河微電子有限公司

晶體管級別的電路設計主要使用SPICE或其他類似的模擬電路仿真器進行，因此對于設計者來說，模型的復雜程度并不會帶來太大的問題。但在以人工分析模擬電路的問題時，并不總能像處理經典的電路分析那樣采取計算的方法，因而采用近似的方法是十分必要的。集電極-發射極電流可以視為受基極-發射極電流的控制，這相當于將雙極性晶體管視為一種“電流控制”的器件。

制造商編號：BC856ALT1  

制造商: ON Semiconductor

產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

RoHS:  詳細信息  

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

晶體管極性: PNP

配置: Single

集電極—發射極電壓 VCEO: - 65 V

集電極—基極電壓 VCBO: - 80 V

發射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V

集電極—射極飽和電壓: - 0.65 V

直流電集電極電流: 0.1 A

Pd-功率耗散: 225 mW

增益帶寬產品fT: 100 MHz

工作溫度: - 55 C

工作溫度: + 150 C

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

高度: 0.94 mm  

長度: 2.9 mm  

技術: Si  

寬度: 1.3 mm  

商標: ON Semiconductor  

集電極連續電流: - 0.1 A  

直流集電極/Base Gain hfe Min: 125  

產品類型: BJTs - Bipolar Transistors  

工廠包裝數量: 3000  

子類別: Transistors  

單位重量: 8 mg