廣東星河微電子有限公司

NPN 晶體管由在基極偏置的正電流驅動（或打開），以控制從集電極到發射極的電流。PNP 型晶體管由在基極偏置的負電流驅動，以控制從發射極到集電極的電流。（注意，PNP 極性與 NPN 相反。）

制造商編號：BC848BWT1G

制造商: ON Semiconductor

產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SC-70-3

晶體管極性: NPN

配置: Single

集電極—發射極電壓 VCEO: 30 V

集電極—基極電壓 VCBO: 30 V

發射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V

集電極—射極飽和電壓: 0.6 V

直流電集電極電流: 0.1 A

Pd-功率耗散: 150 mW

增益帶寬產品fT: 100 MHz

工作溫度: - 55 C

工作溫度: + 150 C

高度: 0.85 mm  

長度: 2.1 mm  

技術: Si  

寬度: 1.24 mm