平面型二極管
在半導體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,擴散P型雜質,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此,不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整,故而得名。并且,PN結合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。初,對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型號很少,而作小電流開關用的型號則很多。
TVS用于瞬間突波之抑制,與受保護器件并聯。在正常工作狀態下,TVS對受保護線路呈高阻抗狀態,當瞬間電壓超過其擊穿電壓時,TVS就提供一個低阻抗的路徑予瞬間電流。使得流向被保護元器件的瞬間電流轉而分流到TVS二極管,而受保護元器件兩端的電壓被限制在TVS兩端的箝制電壓(Clamping Voltage)。當這個過壓條件消失后,TVS二極管又將恢復到高阻抗狀態。