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平面型二極管

在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。

1. TVS管使用時一般并聯在被保護電路上。為了限制流過TVS管的電流不超過管子允許通過的峰值電流IPP，應在線路串聯加限流元件，如電阻、自恢復保險絲、電感等。

2. 擊穿電壓VBR的選擇：TVS管的擊穿電壓應根據線路工作電壓US按公式：VBRmin≥1.2US 或 VRWM≥1.1US選擇。