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張漢斌 
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平面型二極管
在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。
1. TVS管使用時一般并聯在被保護電路上。為了限制流過TVS管的電流不超過管子允許通過的峰值電流IPP，應在線路串聯加限流元件，如電阻、自恢復保險絲、電感等。
2. 擊穿電壓VBR的選擇：TVS管的擊穿電壓應根據線路工作電壓US按公式：VBRmin≥1.2US 或 VRWM≥1.1US選擇。
3. 脈沖峰值電流IPP的選擇：當TVS管單獨使用時，要根據線路上可能出現的浪涌電流來選擇合適的型號。當TVS管在放電管后作為第二級保護時，一般用500W～600W的就可以了。
4. 用于信號傳輸電路保護時，一定要注意所傳輸信號的頻率或傳輸速率。當信號頻率或傳輸速率較高時,應選用低電容系列的管子：信號頻率（傳輸速率）≥10MHz（Mb/s），Cj≤60pF； 信號頻率（傳輸速率）≥100 MHz（Mb/s），Cj≤20pF。當低電容系列仍滿足不了要求時，就應把TVS管串聯到高速二極管組成的橋路中
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