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場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。

由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。

FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。

三極管有一個重要參數就是電流放大系數β。當三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極電流。并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是貼片三極管的放大作用。 三極管還可以作電子開關，以及配合其它電子元件還可以構成振蕩器等。在代換時，必須了解清楚原管子(或要求的管子)的性能(是通用三極管、是開關三極管等)、結構(如達林頓管、帶阻貼片三極管、組合貼片三極管)或有特殊要求(如高反壓、低噪聲等)及-些主要參數然后從手冊(或公司數據手冊)找同一性能、功能、結構及參數相似的進行試驗或代換，另外，要注意的是工作頻率(是MF段、HF段、VHF段或UHF段等).選用的要滿足工作頻率的要求。