1、普通二極管在電流流過時,會產生約0.7-1.7伏特的電壓降,不過肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特,因此可以提升系統的效率。
2、肖特基二極管是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘,以產生整流的效果,和普通二極管中由半導體-半導體接面產生的P-N接面不同。
3、肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低,而且可以提高切換的速度。
4、二極管由流過正向電流的導通狀態,切換到不導通狀態所需的時間。普通二極管的反向恢復時間大約是數百nS,若是高速二極管則會低于一百nS,肖特基二極管沒有反向恢復時間,因此小信號的肖特基二極管切換時間約為數十pS,特殊的大容量肖特基二極管切換時間也才數十pS。由于普通二極管在反向恢復時間內會因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換,沒有反向恢復時間及反相電流的問題。
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。