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張漢斌 
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電子在基區的擴散與復合。
從發射區發射到基區的電子到達基區后，由于靠近發射結附近的電子濃度高于靠近集電結附近的電子濃度，所以這些電子會向集電結附近繼續擴散。在擴散過程中，有小部分電子會與基區的空穴復合，由于電源EB的正極與基極相接，這些復合掉的空穴均可由EB補充，因而形成了基極電流IB。因基區做得很薄，電子在擴散過程中通過基區的時間很短，加上基區的空穴濃度很低，所以從發射區發射到基區的電子在基區繼續向集電結附近擴散的過程中，與基區空穴復合的機會很少，因而基極電流IB很小，大部分電子都能通過基區而達到集電結附近。
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