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張漢斌 
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集電區收集電子從而形成集電極電流IC 。
由于集電結處于反向偏置，有利于少數載流子的漂移運動。從發射區發射到基區的電子，一旦到達基區后，就成了基區少數載流子，因而這些擴散到集電結附近的電子很容易被集電區收集而形成集電極電流IC。
從以上分析可知，從發射區發射到基區的電子中，只有很小部分與基區的電子復合而形成基極電流IB，絕大部分能通過基區并被集電區收集而形成集電極電流IC，如圖6-2所示。因此，集電極電流IC就會比基極電流IB大得多，這就是晶體管的電流放大作用。如前所述，晶體管的基區之所以做得很薄，并且摻雜濃度遠低于發射區，就是為了使集電極電流比基極電流大得多，從而實現晶體管的電流放大作用。
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