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三極管在此偏壓區的示意圖。EB接面的空乏區由于在正向偏壓會變窄，載體看到的位障變小，射極的電洞會注入到基極，基極的電子也會注入到射極;而BC接面的耗盡區則會變寬，載體看到的位障變大，故本身是不導通的。沒外加偏壓，和偏壓在正向活性區兩種情形下，電洞和電子的電位能的分布圖（見下圖）。

三極管和兩個反向相接的pn二極管的不同部分就在于三極管的兩個接面相當接近。以上述之偏壓在正向活性區之pnp三極管為例，射極的電洞注入基極的n型中性區，馬上被多數載體電子包圍遮蔽，然后朝集電極方向擴散，同時也被電子復合。當沒有被復合的電洞到達BC接面的耗盡區時，會被此區內的電場加速掃入集電極，電洞在集電極中為多數載體，很快藉由漂移電流到達連結外部的歐姆接點，形成集電極電流IC。