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張漢斌 
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三極管電流放作用
直流電壓源Vcc應于Vbb使電路滿足放外部條件：發射結向偏置集電極反向偏置改變調電阻Rb基極電流IB集電極電流Ic 發射極電流IE都發變化由測量結結論：
（1） IE ＝ IB ＋ IC ( 符合克希荷夫電流定理）
（2） IC ≈ IB ×? （ ?稱電流放系數表征三極管電流放能力）
（3）△ IC ≈ △ IB ×?
由見三極管種具電流放作用模擬器件
3 三極管放原理
用NPN三極管例說明其內部載流運規律電流放
原理
1、發射區向基區擴散電：由于發射結處于向偏置發射區數載流（自由電）斷擴散基區并斷電源補充進電形發射極電流IE
2、電基區擴散復合：由于基區薄其數載流（空穴）濃度低所發射極擴散電少部基區空穴復合形比較基極電流IB剩絕部電都能擴散集電結邊緣
3、集電區收集發射區擴散電：由于集電結反向偏置發射區擴散基區并達集電區邊緣電拉入集電區形較集電極電流IC
4 三極管輸入輸特性
三極管輸入特性指集-射極電壓UCE數基極電流IB與基-射極電壓UBE間關系曲線
硅管言UCE超1V集電結已經達足夠反偏發射區擴散基區電絕部拉入集電區再增UCE 要UBE保持變（發射區發射基區電數定） IB基本變說UCE超1V輸入特性曲線基本重合
由圖見二極管伏安特性三極管輸入特性段死區UBE于死區電壓三極管才現基極電流IB通硅管死區電壓約0.5V鍺管約0.1V工作情況NPN型硅管發射結電壓UBE0.6～0.7VPNP型鍺管發射結電壓UBE-0.2～ -0.3V
三極管輸特性指基極電流IB定集電極電流IC與集-射極電壓UCE間關系曲線同IB同曲線所三極管輸特性組曲線通輸特性曲線三工作區：
1、放區：輸特性曲線近于水平部放區放區, IC ＝ IB ×?,由于同IB電流放系數近似相等所放區稱線性區三級管要工作放區發射結必須處于向偏置集電結則應處于反向偏置硅管言應使UBE>0UBC<0
2、截止區： IB ＝ 0曲線區域稱截止區實際NPN硅管言UBE＜0.5V即已始截止使三極管靠截止使UBE≤0V發射結集電結均處于反向偏置
3、飽區：輸特性曲線陡直部飽區IB變化 IC影響較放區?再適用于飽區 飽區 UCE＜UBE發射結集電結均處于向偏置
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