SBD的主要優點包括兩個方面:
1)由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度,故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低(約低0.2V)。
2)由于SBD是一種多數載流子導電器件,不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少,故開關速度非常快,開關損耗也特別小,尤其適合于高頻應用。
但是,由于SBD的反向勢壘較薄,并且在其表面極易發生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結二極管大。
在外加電壓為零時,電子的擴散電流與反向的漂移電流相等,達到動態平衡。在加正向偏壓(即金屬加正電壓,半導體加負電壓)時,自建場削弱,半導體一側勢壘降低,于是形成從金屬到半導體的正向電流。當加反向偏壓時,自建場增強,勢壘高度增加,形成由半導體到金屬的較小反向電流。因此,SBD與PN結二極管一樣,是一種具有單向導電性的非線性器件。