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張漢斌 
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肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode，SBD)，簡稱肖特基二極管，是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。
肖特基二極管是“金屬半導體結”二極管，其金屬層材料可以采用鋁、金、鉬、鎳、鈦等，半導體材料采用硅或砷化鎵;多為N型半導體。肖特基二極管是以金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導體B為負極，利用兩者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬一半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，而金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。
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